第三代半導體板塊緣何大漲？早盤近9億元大單資金凈買入

    本報記者 任世碧

    7月4日，第三代半導體板塊表現(xiàn)亮眼，截至午盤，其整體漲2.8%，跑贏上證指數(shù)（漲0.07%）。其中，光智科技、斯達半導漲停，銘普光磁、新潔能、臺基股份、時代電氣、天準科技、芯導科技等個股漲幅均超6%。

    市場資金涌入第三代半導體板塊搶籌。截至午盤，第三代半導體板塊呈現(xiàn)資金凈買入態(tài)勢，合計吸金8.71億元。其中，斯達半導、聞泰科技、揚杰科技、銘普光磁、三安光電、士蘭微等6只概念股大單資金凈買入額均超5000萬元。

    7月4日上午大單資金凈買入額超千萬元的第三代半導體概念股

    制表：任世碧

    消息面上，7月3日，商務部、海關總署發(fā)布《關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》。公告顯示，根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規(guī)定，為維護國家安全和利益，經國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。公告將自2023年8月1日起正式實施。

    對此，接受《證券日報》記者采訪的排排網財富研究員卜益力表示，鎵、鍺屬于稀缺戰(zhàn)略資源，用途比較廣泛，其中鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一，而且我國又是全球鎵產量大國，美國一半以上的進口需求來自于中國，因此出口管制一定程度上利好我國第三代半導體產業(yè)發(fā)展。長期看，看好第三代半導體在國家政策以及市場需求的積極推動下的發(fā)展前景。半導體自主可控背景下，疊加第三代半導體已經具備技術突破的同時，在產業(yè)協(xié)同發(fā)展上也奠定了基礎，有望助力我國第三代半導體產業(yè)進入到加速增長期。

    第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。鎵被稱作“半導體工業(yè)新糧食”，可以在集成電路、LED和光伏板中使用，砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體結合了多種元素，可幫助提高電視/手機屏幕、光伏電池板和雷達的傳輸速度和效率。數(shù)據(jù)顯示，全球探明的金屬鎵儲量僅27.93萬噸，中國擁有19萬噸，占比在68%左右。而從產量來說，美國地質調查局數(shù)據(jù)顯示，哈薩克斯坦、匈牙利、德國、烏克蘭等產國已相繼停止鎵生產，我國在全球鎵產量占比持續(xù)提升，截至2021年，占比已超90%。

    鎵系相關產品中，氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料之一。浙商證券表示，氮化鎵（GaN）禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價。

    鍺也是優(yōu)良半導體，可作高頻率電流的檢波和交流電的整流用，被多國列入戰(zhàn)略儲備物資的重要資源，在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫(yī)學等領域都有廣泛而重要的應用。其中，鍺在光伏領域的應用具體體現(xiàn)在聚光電池與硅鍺薄膜電池中，主要是用作砷化鎵太陽能電池的襯底材料。據(jù)美國地質調查局數(shù)據(jù)，全球鍺資源中國占比41%，美國占比45%；全球鍺供給中，中國占比68%，俄羅斯占比5%。

    日前，在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導體技術（包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術）已經開始獲得應用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。

    止于至善投資基金經理孫嘉寶對記者表示，此次對鎵、鍺相關物項實施出口管制，對于國內第三代半導體公司是利好。目前，第三代半導體產業(yè)各環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)快速發(fā)展狀態(tài)，襯底、外延及芯片產能加速擴張，成本持續(xù)降低，國內外主流廠家都制定了積極進取的市場策略。而中國擁有第三代半導體最大的應用市場，在新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、5G、消費電子等強勁帶動下，預計未來幾年我國第三代半導體將繼續(xù)保持高速增長，可以關注碳化硅及氮化鎵等材料產業(yè)鏈投資機會。

（編輯 才山丹 策劃 張穎）